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SAMSUNG SSD INTERNO 990 EVO PLUS 4TB PCI-E NVME R/W 6300/7250 MBS

SAMSUNG SSD INTERNO 990 EVO PLUS 4TB PCI-E NVME R/W 6300/7250 MBS
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Prezzo:

700,33 Prezzo Iva Inclusa

Spese di trasporto:
Cod. art.: 136148
Marca: SAMSUNG
Disponibilità: Disponibile Evasione in 5/7 giorni lav.
Quantità:

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Descrizione

Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.- Prestazioni eccellenti, PCIe Gen 4.0
- Velocità lettura/scrittura 7,250/6,300MB/s
- Efficenza energetica migliorata
Caratteristiche
Capacità SSD 4 TB
Dimensione SSD M.2
Interfaccia PCI Express 4.0
NVMe
Versione di NVMe 2.0
Tipo memoria V-NAND TLC
Componente per PC
criptaggio hardware
Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES
Dimensioni dell'unità SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura 7250 MB/s
Velocità di scrittura 6300 MB/s
Lettura casuale (4KB) 1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB) 1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)
Supporto TRIM
Supporto S.M.A.R.T.
Tempo medio tra guasti (MTBF) 1500000 h
Gestione energetica
Tensione di esercizio 3,3 V
Consumo di energia (in lettura) 5,5 W
Consumo di energia (in scrittura) 4,8 W
Consumo energetico (inattivo) 0,06 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) 5 mW
Dimensioni e peso
Larghezza 80,2 mm
Profondità 2,38 mm
Altezza 80,2 mm
Peso 9 g
Dati su imballaggio
Larghezza imballo 148 mm
Profondità imballo 100 mm
Altezza imballo 22 mm
Peso dell'imballo 70 g
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 70 °C
Shock di funzionamento 1500 G
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